Значения слова Легирование. Что такое Легирование?

Слово состоит из 11 букв: первая л, вторая е, третья г, четвёртая и, пятая р, шестая о, седьмая в, восьмая а, девятая н, десятая и, последняя е,

Слово легирование английскими буквами (транслитом) - legirovanie

Легирование

ЛЕГИРОВАНИЕ (от лат. ligo - связываю, соединяю), введение добавок в металлы, сплавы и полупроводники для придания им определенных физ., хим. или мех. св-в.

Химическая энциклопедия

Леги́рование — введение в состав металлических сплавов некоторых химических элементов для придания им определённых физических, химических или механических свойств.

Энциклопедия техники

Легирование (нем. legieren — сплавлять, от лат. ligo — связываю, соединяю), введение в состав металлических сплавов легирующих элементов для придания сплавам определённых физических, химических или механических свойств.

Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич.

Физическая энциклопедия. - 1988

Правильное написание и ударение в слове ЛЕГИРОВАНИЕ

Леги́рование, -я.

Орфографический словарь. — 2004

Дельта-легирование

Дельта-легирование англ. delta-doping или англ. δ-doping — внедрение тонкого легированного слоя в полупроводниковые кристаллы в полупроводниках выращенных эпитаксиальными методами.

ru.wikipedia.org

Ионная имплантация

ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ — ионное внедрение, - введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела (мишени) путём бомбардировки его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше…

Большой энциклопедический политехнический словарь

Ио́нная импланта́ция — способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (10—2000 КэВ).Ионную имплантацию также применяют как метод легирования металлов для изменения их физических и...

ru.wikipedia.org

ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ (ионное внедрение, ионное легирование) - введение примесных атомов в твёрдое тело бомбардировкой его поверхности ускореннымиионами.

Физическая энциклопедия. - 1988

Литий

Ли́тий (лат. Lithium; обозначается символом Li) — элемент главной подгруппы первой группы, второго периода периодической системы химических элементов Д. И. Менделеева, с атомным номером 3. Простое вещество литий (CAS-номер: 7439-93-2)...Легирование алюминия Введение лития в систему легирования позволяет получить новые сплавы алюминия с высокой удельной прочностью. Добавка лития снижает плотность сплава и повышает модуль...

ru.wikipedia.org

Литий (лат. Lithium), Li, химический элемент 1 группы периодической системы Менделеева, атомный номер 3, атомная масса 6,941, относится к щелочным металлам.В чёрной металлургии Л., его соединения и сплавы широко применяют для раскисления, легирования и модифицирования многих марок сплавов. В цветной металлургии литием обрабатывают сплавы для...

Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

ЛИТИЙ (от греч. lithos - камень) - хим. элемент, символ Li (лат. Lithium), ат. н. 3, ат. м. 6,941. Л. - серебристо-белый металл из группы щелочных металлов; плотн. 534 кг/м 3 (самый лёгкий из металлов), t пл 180,5 °С.В чёрной металлургии Л. служит для раскисления, легирования и модифицирования сплавов, в цветной - для улучшения их механич. св-в (для аэрокосмич. целей перспективны сплавы алюминия с 2...

Большой энциклопедический политехнический словарь

Полупроводниковые материалы

Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале температур, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов.Легирование Для получения полупроводниковых материалов электронного типа проводимости (n-типа) с...

ru.wikipedia.org

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, в-ва с четко выраженными св-вами полупроводников в широком интервале т-р, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов.Это-осн. способ легирования в процессах эпитаксии при кристаллизации из газовой фазы.

Химическая энциклопедия

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ совокупность веществ с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале темп-р, включающем комнатную темп-ру Т=300 К, применяющихся для изготовления полупроводниковых приборов.Зависимость свойств П. м. от природы и концентрации примесей и дефектов используют для целенаправленного изменения характеристик П. м. путём легирования (см. Легирование полупроводников)..

Физическая энциклопедия. - 1988

Сильное легирование

Сильное легирование наблюдается при больших концентрациях примесей. Их взаимодействие ведёт к качественным изменениям свойств полупроводников. Это можно наблюдать в сильно легированных проводниках...

ru.wikipedia.org